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加快打造原始創(chuàng)新策源地，加快突破關(guān)鍵核心技術(shù)，努力搶占科技制高點，為把我國建設(shè)成為世界科技強(qiáng)國作出新的更大的貢獻(xiàn)。

——習(xí)近平總書記在致中國科學(xué)院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場、面向國家重大需求、面向人民生命健康，率先實現(xiàn)科學(xué)技術(shù)跨越發(fā)展，率先建成國家創(chuàng)新人才高地，率先建成國家高水平科技智庫，率先建設(shè)國際一流科研機(jī)構(gòu)。

——中國科學(xué)院辦院方針

首頁 > 科研進(jìn)展

微電子所在高性能選通管研究中獲進(jìn)展

2019-06-25 微電子研究所

【字體：大中小】

語音播報

　　近日，2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits（簡稱VLSI國際研討會）在日本召開。中國科學(xué)院院士、中國科學(xué)院微電子研究所研究員劉明團(tuán)隊在會上展示了高性能選通管的最新研究進(jìn)展。

　　交叉陣列中的漏電流問題是電阻型存儲器（如RRAM、MRAM、PCM）高密度集成的主要障礙，研制具有高疲勞特性、高均一性的通用選通管對于實現(xiàn)上述存儲器的高密度三維交叉陣列集成具有重要意義。劉明團(tuán)隊設(shè)計了一種基于NbO_x的高性能選通器件，通過對氧元素分布的調(diào)節(jié)與隧穿層的引入，實現(xiàn)了高開態(tài)電流密度（4.8MA/cm²）、高操作速度（10ns）、高疲勞特性(>10¹²)。在機(jī)理研究方面，基于變溫測試結(jié)果及第一性原理計算，提出了基于熱失控（Thermal runaway）結(jié)合肖特基勢壘的電荷傳輸模型。這為RRAM等新型存儲器的高密度集成提供了解決方案。

　　上述研究成果以題為_1-xO₂ based Universal Selector with Ultra-high Endurance (>10¹²), high speed (10ns) and Excellent V_thStability 的論文入選2019 VLSI Technology。微電子所博士羅慶為第一作者，研究員呂杭炳和劉明為通訊作者。