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加快打造原始創(chuàng)新策源地,加快突破關(guān)鍵核心技術(shù),努力搶占科技制高點(diǎn),為把我國建設(shè)成為世界科技強(qiáng)國作出新的更大的貢獻(xiàn)。

——習(xí)近平總書記在致中國科學(xué)院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場、面向國家重大需求、面向人民生命健康,率先實(shí)現(xiàn)科學(xué)技術(shù)跨越發(fā)展,率先建成國家創(chuàng)新人才高地,率先建成國家高水平科技智庫,率先建設(shè)國際一流科研機(jī)構(gòu)。

——中國科學(xué)院辦院方針

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近代物理所電場調(diào)控納米孔道離子傳輸特性研究獲進(jìn)展

2019-11-04 近代物理研究所
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  納米通道中的離子輸運(yùn)特性與機(jī)理是研究細(xì)胞離子通道、離子整流與納濾過濾的基礎(chǔ)。納米孔道結(jié)構(gòu)與表面修飾對離子輸運(yùn)調(diào)控的研究工作已有諸多報道,但關(guān)于電場對于納米孔道表面與離子輸運(yùn)的影響尚不清楚。

  中國科學(xué)院近代物理研究所科研人員利用HIRFL高能微束裝置的單離子輻照技術(shù)和徑跡蝕刻法制備的PET單納米孔道,系統(tǒng)地研究了電場調(diào)控對納米通道表面電荷與離子輸運(yùn)的影響。研究發(fā)現(xiàn)二價和三價陽離子對PET納米孔道分別具有可逆和不可逆的表面電荷修飾作用,首次報道了納米孔道離子整流狀態(tài)轉(zhuǎn)變的閾值電壓存在。在電場作用下,納米孔道離子傳輸特性轉(zhuǎn)變主要是由于超過閾值電場時,孔道表面PET分子鏈的羧基-陽離子鍵破裂導(dǎo)致陽離子解離與孔道表面分子鏈重排,從而引起表面電荷密度與等效納米孔道口徑變化。這些發(fā)現(xiàn)可能揭示了電壓門控生物離子通道的工作機(jī)制,為微納孔道離子整流與過濾控制提供了新的視角,在離子分離、生物分子檢測和納米通道能量收集等領(lǐng)域有著潛在的應(yīng)用前景。

  該工作得到國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目支持,成果發(fā)表在期刊ACS Applied Materials & Interfaces上。

  文章鏈接

1 多價態(tài)離子濃度對納米通道中離子載流子的影響

2 納米孔道的離子傳輸特性在超過閾值電場時發(fā)生狀態(tài)轉(zhuǎn)變

打印 責(zé)任編輯:葉瑞優(yōu)

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