——習(xí)近平總書記在致中國科學(xué)院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求
——中國科學(xué)院辦院方針
院況簡介
1949年,伴隨著新中國的誕生,中國科學(xué)院成立。
作為國家在科學(xué)技術(shù)方面的最高學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)和全國自然科學(xué)與高新技術(shù)的綜合研究與發(fā)展中心,建院以來,中國科學(xué)院時刻牢記使命,與科學(xué)共進(jìn),與祖國同行,以國家富強(qiáng)、人民幸福為己任,人才輩出,碩果累累,為我國科技進(jìn)步、經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展和國家安全做出了不可替代的重要貢獻(xiàn)。 更多簡介 +
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文化副刊
中國科學(xué)院學(xué)部
中國科學(xué)院院部
語音播報
納米通道中的離子輸運(yùn)特性與機(jī)理是研究細(xì)胞離子通道、離子整流與納濾過濾的基礎(chǔ)。納米孔道結(jié)構(gòu)與表面修飾對離子輸運(yùn)調(diào)控的研究工作已有諸多報道,但關(guān)于電場對于納米孔道表面與離子輸運(yùn)的影響尚不清楚。
中國科學(xué)院近代物理研究所科研人員利用HIRFL高能微束裝置的單離子輻照技術(shù)和徑跡蝕刻法制備的PET單納米孔道,系統(tǒng)地研究了電場調(diào)控對納米通道表面電荷與離子輸運(yùn)的影響。研究發(fā)現(xiàn)二價和三價陽離子對PET納米孔道分別具有可逆和不可逆的表面電荷修飾作用,首次報道了納米孔道離子整流狀態(tài)轉(zhuǎn)變的閾值電壓存在。在電場作用下,納米孔道離子傳輸特性轉(zhuǎn)變主要是由于超過閾值電場時,孔道表面PET分子鏈的羧基-陽離子鍵破裂導(dǎo)致陽離子解離與孔道表面分子鏈重排,從而引起表面電荷密度與等效納米孔道口徑變化。這些發(fā)現(xiàn)可能揭示了電壓門控生物離子通道的工作機(jī)制,為微納孔道離子整流與過濾控制提供了新的視角,在離子分離、生物分子檢測和納米通道能量收集等領(lǐng)域有著潛在的應(yīng)用前景。
該工作得到國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目支持,成果發(fā)表在期刊ACS Applied Materials & Interfaces上。

圖1 多價態(tài)離子濃度對納米通道中離子載流子的影響

圖2 納米孔道的離子傳輸特性在超過閾值電場時發(fā)生狀態(tài)轉(zhuǎn)變
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